Nom du produit: tube MOS 5N10 100V 5A à effet de champ à canal N

1. Nom du projet: tube MOS 100V 5A 5N10 à effet de champ à canal N

2. Caractéristiques du programme 5N10:

Résistance interne 145mΩ, capacité de section 400PF, faible tension d'activation, faible résistance interne et capacité de section basse en même temps, faible résistance interne est critique, et capacité de petite section est également critique, ce qui fait monter la température plus bas, Qui peut réduire efficacement la chaleur du tube MOS pour éviter la panne de courant causée par la brûlure du tube MOS a un rendement élevé, une faible perte, une faible résistance interne, capacité ultra-petite, basse tension de mise en marche, Et le test de remplacement pour des tubes de même spécification est 3 points plus élevé que directement sur le marché, et l'élévation de température est directement inférieure de 5 degrés

3. Champ d'application 5N10: sécurité de la caméra, interrupteur POE, pilote de lampe de voiture, pilote de lampe de sécurité, briquet à arc, moteur d'entraînement, ballast, lecteur de LED, contrôleur solaire, etc.

4. Spécifications 5N10: paquet de SOT23-3, modèle alternatif LN2322 G1003A G1002L IT4N10 meilleur prix

5. image physique 5N10:

Tout d'abord, le nom du programme: 100V 5A 5N10 n-channel FET MOS tube